우리 대학 생명화학공학과 임성갑 교수 연구팀이 유기 박막 트랜지스터를 저전력으로 구동하고 성능을 최적화할 수 있는 새 고분자 절연막 소재를 개발했다.
향후 유기 전자 소자의 성능 최적화 및 다양한 미래형 전자기기의 핵심 기술로 활용될 것으로 기대된다.
박관용 박사과정 학생이 1저자로 참여한 이번 연구 결과는 재료분야 학술지 ‘어드밴스드 펑셔널 머티리얼즈(Advanced Functional Materials)’ 9월 26일자 뒷표지 논문에 게재됐다.
사물인터넷 시대를 맞이하며 가볍고 유연한 유기전자 소자가 주목받고 있다. 유기전자 소자의 상용화를 위해 성능 향상 및 저전력 구동을 위한 노력이 계속되고 있다.
특히 전력 소모를 줄이기 위해선 매우 얇은 두께에서도 우수한 절연 특성을 갖는 소재 개발과 소자의 문턱전압을 낮추는 기술이 반드시 필요하다.
문턱전압은 전류가 흐르기 위한 최소한의 전압을 뜻한다. 기존 유기 박막 트랜지스터에서는 문턱전압 조절을 위해 절연막과 반도체 사이에 표면 처리를 하는 방식을 주로 이용했다.
그러나 이는 전하 이동도 등 소자의 다른 성능들이 감소되는 한계가 있었다. 따라서 소자의 성능 최적화를 위해서는 전하 이동도 및 문턱전압 등을 독립적으로 조절하는 기술이 필요하다.
연구팀은 문제 해결을 위해 ‘개시제를 이용한 화학 기상 증착법(initiated chemical vapor depositon : iCVD)’을 이용했다. iCVD는 기체 상태의 반응물을 이용해 고분자를 박막 형태로 합성하는 방법이다.
이 기술은 균일도가 높고 불순물을 최소화할 수 있어 절연막 소재 개발에 적합하다. 또한 기체상에서 공정이 이뤄지기 때문에 액상 공정에서 합성이 불가능했던 다양한 공중합체(copolymer)를 합성할 수 있고 쉽게 비율을 조절할 수 있다.
연구팀은 이러한 기체상 공정의 장점을 이용해 유기 박막 트랜지스터의 문턱전압 조절이 가능한 새로운 공중합체 고분자 절연막을 합성했다. 이렇게 합성된 절연막은 극성이 다른 두 가지의 단량체를 사용하는데, 항공대학교 황완식 교수팀과 전기적 특성을 분석한 결과 특정 단량체의 비율에 따라 트랜지스터의 문턱전압이 조절됨을 확인했다.
또한 이 공중합체의 고분자 표면에 다른 고분자를 얇게 덧씌워도 여전히 문턱전압이 조절되는 것을 확인했다. 연구팀은 동일한 공정으로 공중합체 표면에 3나노미터 정도의 매우 얇은 두께의 무극성 고분자를 도입했다.
그 결과 무극성 고분자가 전하 이동도를 유지해주는 동시에 문턱전압만 독립적으로 조절할 수 있는 새로운 절연막 시스템을 개발했다.
이 절연막은 20나노미터 정도의 두께에서도 우수한 절연특성을 가져 3V(볼트)이하의 저전력 구동 중에도 성능 저하 없이 문턱전압만 선택적으로 조절할 수 있다.
임 교수는 “유기 박막 트랜지스터의 상대적으로 높은 전하 이동도를 유지하며 문턱전압만을 독립적으로 조절할 수 있는 새로운 기술이다”며 “저전력 구동이 가능한 유기 전자 소자의 상용화를 앞당길 수 있을 것으로 기대된다”고 말했다.
이번 연구는 삼성미래기술육성재단의 지원을 받아 수행됐다.
□ 그림 설명
그림1. 고분자 절연막 트랜지스터_게재지 표지논문
그림2. 본 연구에서 개발된 절연막 시스템이 적용된 유기 박막 트랜지스터 구조 및 전기적 특성
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2016-09-06